设计了一种结构简单的基于IDO稳压器的带隙基准电压源。由于目前LDO芯片的面积越来越小，所以在传统带隙基准电压源的基础上，对结构做了简化及改进，在简化设计的同时获得了高的性能。该带隙基准使用三极管作为运算放大器的输入，同时省去了多余的等效二极管，并将此结构应用于LDO结构中。对带隙基准的仿真结果表明，在5V的电源下，产生25×10-6/℃温度系数的带隙基准电压。低频时电源抑制比为138dB。将该带隙基准结合缓冲器应用于LDO稳压器中，对LDO的仿真结果表明，负载特性良好，相位裕度为63.3度。线性负载率也

LDO芯片设计报告及电路分析报告

LDO稳压器基本工作原理及环路补偿pdf,由于超低ESR电容诸如陶瓷电容可以支持快速变化的负载瞬态，以及可以旁路线性稳压器不能抑制的、来自开关转换器电源的特高频噪声，从而广受欢迎

设计了一种基于0．25 μm CMOS工艺的低功耗片内全集成型LDO线性稳压电路。电路采用由电阻电容反馈网络在LDO输出端引入零点，补偿误差放大器输出极点的方法，避免了为补偿LDO输出极点，而需要大电容或复杂补偿电路的要求。该方法电路结构简单，芯片占用面积小，无需片外电容。Spectre仿真结果表明：工作电压为2．5 V，电路在较宽的频率范围内，电源抑制比约为78 dB，负戢电流由1 mA到满载100 mA变化时，相位裕度大于40°，LDO和带隙电压源的总静态电流为390μA。

tps78601(单输出 LDO、1.5A、可调节电压（1.2 至 5.5V）、低噪声、高 PSRR).pdf

具有快速响应特性的LDO的设计

设计了一种1. 8 ～ 3. 3 V 的自偏置LDO 电路，无需外加基准电路，且具有良好的负载调整率和工艺兼容性。该电路采用无需双极型晶

设计了一种基于0.25μm CMOS工艺的低功耗片内全集成型LDO线性稳压电路。电路采用由电阻电容反馈网络在LDO输出端引入零点，补偿误差放大器输出极点的方法，避免了为补偿LDO输出极点，而需要大电容或复杂补偿电路的要求。该方法电路结构简单，芯片占用面积小，无需片外电容。Spectre仿真结果表明：工作电压为2.5V，电路在较宽的频率范围内，电源抑制比约为78dB，负戢电流由1mA到满载100mA变化时，相位裕度大于40°，LDO和带隙电压源的总静态电流为390μA。

设计了一种用HHNEC0.35μmBCD工艺实现的LDO线性稳压器，该LDO是一款低功耗，带宽大的低压差线性稳压器。对其结构和工作原理进行分析，讨论了关键电路的设计，模拟结果验证了设计的正确性。

LDO学习新手必看！包括推导过程，环路稳定性问题，LDO学习经典教程！