我们报告了偶数核$ ^ {178} $ W中Kπ= 11−和12+四准粒子态的半衰期的首次测量。 亚纳秒半衰期是通过对法国奥尔赛ALTO工厂的NuBall阵列的LaBr $ _ {3} $（Ce）闪烁探测器检测到的数据应用质心偏移方法来测量的。 这些状态的半衰期只有通过几种实验技术的组合才能通过实验获得-闪烁器快速定时，脉冲束的异构体光谱以及NuBall阵列提供的逐事件量热信息。 对于Iπ= 11-和12+状态，测得的半衰期分别为476（44）ps和275（65）ps。 衰减过渡包括受阻较弱的E1和E2分支直接绕过两个准粒子状态，直接分支到基态带。 这是对E1过渡的首次此类观察。 小障碍的解释取决于基态带和t带之间的混合。

采用COMSOL Multiphysics建立了纳秒脉冲激光清洗2024铝合金表面丙烯酸聚氨酯漆层的有限元模型,分析了不同参数对激光清洗温度场和清洗深度的影响,并进行了实验验证。结果表明:扫描速度以搭接率的形式影响清洗效率,扫描速度越慢,清洗速率越小,当搭接率为50%时具有合适的清洗效率;随着激光能量密度增加,漆层表面和基体表面的最高温度线性升高,当激光能量密度达到25 J/cm 2时,激光辐照区域的漆层材料完全被去除,铝合金基体的烧蚀深度为50 μm;在激光能量密度为25 J/cm 2,搭接率为50%的实验参数下,基体表面沟槽峰谷高度为50.234 μm,在此参数组合下可以获得良好的符合涂装工艺要求的表面。该结果可为研究纳秒脉冲激光清洗及其工艺参数的选择提供参考。

1.0 引言 　　美国国家半导体产品DP83640的独特性能，即100 Mb/s 下的同步以太网技术，可在用以太网连接的IEEE1588精密时 间协议（PTP）系统之间实现非常精确的同步。采用这种特 性，便可工作在要求的网络拓扑约束内，实现PTP应用达到 次纳秒级的主从同步精度。同时也能产生一个与主PTP时钟 锁定和校准的从结点时钟输出。 　　本应用注释首先提供了采用同步以太网模式测量主从结 点同步所得到的经验结果的总结。然后，提供了与同步以太 网模式相关的工作原理和拓扑限制有关的背景信息。接着讨 论了典型应用，通过经验数据清楚地解释了采用同步以太网 模式的潜在精度。本应用注释适用于下列产

纳秒激光冲击纳米SiC涂层的有限元模拟和实验研究，崔承云，崔熙贵，基于传统激光冲击技术的基本原理，以纯铝(Al)为基体开展了激光冲击力效应下纳米SiC涂层的直接制备研究。利用有限元数值模拟方法研�

自发辐射放大(ASE)光源作为一种非相干光源，在生物医学等领域发挥着重要作用。利用脉冲ASE光源作为抽运源激发非线性介质产生的超连续谱，具有低时间相干性和宽光谱特性，使其具备更加广阔的应用前景。研究了脉冲ASE光源的产生和放大过程，获得瓦级纳秒脉冲ASE 光源；采用光纤环形反射镜结构提高带内功率，得到280 mW连续窄谱带ASE输出；利用声光调制器和电光调制器共同调制连续窄谱带ASE，得到脉宽为8 ns、重复频率为50 kHz、平均功率为50 μW 的脉冲ASE；并且详细研究了具有不同脉冲波形的ASE的放大过程。

本文设计了一种基于数字逻辑器件的纳秒级超宽带窄脉冲信号的产生电路，相比于其他脉冲产生电路，该电路具有结构简单，性能可靠的优点，在UWB无线通信中具有一定的应用价值。

从半导体材料的吸收机制出发,分析研究了激光能量在半导体材料中的传输过程,并采用双温模型分别模拟计算了在入射激光能量相同的情况下,皮秒和纳秒激光脉冲作用于硅半导体材料的加热过程,结果表明在纳秒脉冲作用下,可以忽略载流子效应,用单纯的单温热传导方程来模拟。而在皮秒脉冲作用下,应该考虑载流子效应,采用包括晶格温度和载流子温度的双温模型来模拟硅半导体材料的加热过程。

鉴于之前部分网友反映我上传的一个C++纳秒计时器压缩文件损坏，我这次重传，直接上传的是源代码截图（有10行不到），可以通过修改其中的参数来达到识别精度的目的（原理主用利用CPU晶振这一特性）

完整英文电子版 ANSI/EIA-364-87B-2017 Nanosecond Event Detection Test Procedure for Electrical Connectors, Contacts and Sockets (电子连接器、触点和插座的纳秒事件检测测试程序)。此过程的目的是定义检测事件的方法，这些事件可以短至 1 纳秒。

一个用C++实现的微秒计时器，文中代码出乘以10^6次方是微秒计时器，乘10^9次方则是纳秒计时器，可用于检测打印或复制语句执行时间