基于机械剥离Ga2O3/SiO2/Si结构的场效应晶体管的电学特性研究，王赫，梁红伟，通过机械剥离的方法，从氧化镓单晶衬底上获得氧化镓薄片并转移至二氧化硅/硅衬底上，制成了氧化镓背栅场效应晶体管。在器件的转��
2023-05-04 16:44:24
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基于氮化镓的高电子迁移率场效应晶体管(GaN HEMT)具有电子迁移率高、耐高温和极低的寄生电容等诸多特点而成为开关变换器领域关注的焦点。限于目前的制造工艺,基于氮化镓材料的MOS开关器件更容易做成耗尽型,针对耗尽型GaN HEMT器件的负电压关断特性,结合其应用于开关变换器的上电短路问题,提出一种GaN HEMT器件与增强型MOSFET的组合开关电路,可实现对耗尽型GaN HEMT器件的开、关控制及可靠关断,但其关断速度不够快。为此,提出一种快速关断GaN HEMT器件的驱动电路,并得到了进一步提高GaN HEMT器件开关速度的改进电路,可实现对耗尽型GaN HEMT器件快速可靠关断。实例及实验结果验证了所提出电路的可行性。
2022-11-05 20:17:31
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行业资料-电子功用-体引出结构SOI场效应晶体管等效电学模型及建模方法.zip
2021-08-25 09:05:45
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行业-电子政务-具有结型场效应晶体管的三维可变电阻存储器件及其驱动方法.zip
2021-08-21 14:03:33
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完整英文版 IEC 60747-8：2021 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8：Field-effect transistors（半导体器件 - 分立器件 - 第8部分：场效应晶体管）。IEC 60747-8:2010+A1:2021给出了以下类别的场效应晶体管的标准。
- A型：结点门型。
- B型：绝缘栅耗尽型（常开）。
- C型：绝缘栅增强型（常闭）。
2021-08-03 09:32:07
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