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第三讲-Silvaco-TCAD-器件仿真01.ppt

第三章 二维器件仿真 127 Warning: Convergence problem. Taking smaller bias step(s). Bias step reduced 3 times. Obtaining static solution: V( drain ) = 0.125 … Warning: Solution diverging. Potential update too large. Update: 8.30138e+006 Vstep: 40 Warning: Convergence problem. Taking smaller bias step(s). Bias step reduced 4 times. Obtaining static solution: V( drain ) = 0.0625 … Warning: Solution diverging. Potential update too large. Update: 19220.9 Vstep: 40 Warning: Bias step cut back more than 4 times. Cannot trap. 这个例子中当计算 1V 时势更新太大，然后折半到 0.5V 进行计算，接着是 0.25V、0.125V 和 0.0625V，到 0.0625V（折半四次）时结果仍然很粗糙，就报错了。 参数 maxtrap 可以增加 trap 的上限。在考虑使用 maxtrap 参数前读者需要先确认网格密 度是否合理，物理模型和迭代方法是否适当等。 例 3-51 maxtrap 增加 trap 次数。 method newton trap maxtrap=10 3.6 获取器件特性 实际情况下器件的特性都要通过仪器进行测试得到，测试结果通常是端电流电压特性， 可改变电信号（直流、交流、瞬态以及特征波形等等）、环境温度、光照、压力或磁场等得 到端电流电压随这些量的变化。ATLAS 进行器件仿真时也按照这种思路进行仿真，除了能 得到端的电学特性外，还能得到器件内部的信息（浓度分布，电势分布，电流密度…），这 是实际的测试仪器难以做到的。UTMOST III 可以直接导入 ATLAS 仿真的结果（也可以是 实际仪器测试的结果，如 KEITHLEY），从而提取器件对应的 Spice 模型的参数。 在仿真开始时电极都是零偏的，之后才会按照设置的方式将电流或电压步进式地加上 去。步进的步长是需要考虑的，步长太大容易不收敛（由于计算方法中的初始猜测策略）。 电压和电流的施加使用 solve 状态，log 和 save 是将计算得到结果分别保存为日志文件和结 构文件。Log 语句需要在 solve 之前，这样 solve 的数据才能得到保存。 例 3-52 计算 gate 电压为 0.1V 时的电学信息，保存到 log 文件，并保存结构文件，此时

TCAD 工艺仿真介绍 Mosfet DMOS CMOS Bipolar IGBT etc.

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介绍： DEVSIM -TCAD设备模拟器 DEVSIM是使用有限体积方法进行TCAD设备仿真的工具。 源代码由Devsim LLC提供。 它是根据获得。 在此许可下还提供了示例脚本。 其他文件受其版权所有者的许可条款约束。 支持的平台： macOS 10.13（High Sierra） Microsoft Windows（64位） 红帽7（兼容Centos） 二进制版本当前可从。 软件功能： Python脚本 直流，小信号交流，阻抗场法，瞬态 用户指定的偏微分方程（PDE）。 1D，2D和3D模拟 一维，二维网格划分器 导入3D网格。 二维圆柱坐标模拟 内嵌PDE的ASCII文件格式。 请从源文件中获取INSTALL文件以获取安装说明。 请参阅注意和许可文件以获取版权和许可信息。 说明文件： 文档可在doc / devsim.pdf和。 Windows特定信息在wind

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