最新完整英文电子版 JEDEC JESD220E：2020 Universal Flash Storage (UFS) V 3.1- 通用闪存存储 (UFS) 标准 V 3.1。该标准规定了 UFS 电接口和存储设备的特性。 这些特性包括（除其他外）低功耗、高数据吞吐量、低电磁干扰和大容量存储器子系统效率的优化。 UFS 电接口基于 MIPI M-PHY 规范的高级差分接口，与 MIPI UniPro 规范一起形成 UFS 接口的互连。 架构模型参考了 INCITS T10 (SCSI) SAM 标准，命令协议基于 INCITS T10 (SCSI) SPC 和 SBC 标准。

JEDEC官方，最新UFS 3.1 标准文档。JESD220E，2020年1月最新版本。

JESD220E ufs3.1协议 ,Univeral Flash Storage，我们可以将它视为eMMC的进阶版，是由多个闪存芯片、主控、缓存组成的阵列式存储模块。UFS弥补了eMMC仅支持半双工运行（读写必须分开执行）的缺陷，可以实现全双工运行，所以性能得以翻番。

ufs3.1 JEDEC规范

JEDEC已经发布了UFS3.1规范（又名JESD220E），它在标准中增加了一些和性能、功率、成本削减、可靠性相关的特性。这些新功能和特性有望提高实际设备性能，最大限度地降低功耗，潜在地降低高容量存储设备成本，并改善用户体验。 符合UFS3.1标准的设备继续使用MIPI的M-PHY4.1物理层和8b/10b线路编码，MIPI基于UniPro 1.8协议的互连层（IL），每通道数据速率为HS-G4（11.6Gbps）。同时，新版本的规范支持三个新特性：写增强、深度睡眠和性能限制通知。此外，JEDEC还发布了主机性能提升技术规范。现代固态硬盘已经支持所有这些功能，因此UFS3.1规范和HP，使UFS存储设备在功能上更接近固态硬盘。 顾名思义，写增强（Write Booster）旨在通过使用伪SLC缓存来提高写入速度。SSD和各种由NVMe驱动的微型存储设备（例如Apple的iPhone/iPad中使用的存储设备）已经使用了类似的技术。同样，SD6.0标准支持缓存以达到写入性能目标。 UFS3.1技术的第二个重要的新功能是深度睡眠（Deep Sleep），这是一种新的低功耗状态，适用于廉价的UFS设备，这些设备使用相同的稳压器进行存储和其他功能。另一个新功能是性能限制通知，该功能使UFS设备可以在过热时通知主机有关性能限制的信息。最终，避免节流意味着更稳定的性能。