双层光刻胶技术 随着线条宽度的不断缩小，为了防止胶上图形出现太大的深宽比，提高对比度，应该采用很薄的光刻胶。但薄胶会遇到耐腐蚀性的问题。由此开发出了 双层光刻胶技术，这也是所谓 超分辨率技术 的组成部分。

根据德勤咨询和普华永道分析，2019 年，由于通信和数据处理应用市场增长乏力，全球半 导体市场增速放缓。但预计 2020 年-2022 年受汽车和工业半导体应用市场增长拉动，全 球半导体市场将会进入新的一轮上行周期。如图所示，根据普华永道咨询数据，2019 至 2022 年，通信和数据处理依然占据半导体下游应用市场中主要地位，预计至 2022 年，二 者市场共计将达 3650 亿美元，占下游全部市场的 63.5%。增速方面，2018-2022 年间以汽 车和工业应用半导体市场增幅最快，CAGR 分别为 12.14%和 10.67%，同时二者的市场放量 绝对数值也为所有细分应用中最高，预计 20

（上海华虹NEC电子有限公司，上海201206）摘 要：介绍了如何通过测量得出的等效扩散长度和光刻机的照明条件来对任何光刻工艺的线宽均匀性进行评估。展示了在0.13um及以下工艺中等效扩散对能量裕度和掩模版误差因子的影响的研究结果。关键词：等效扩散长度,像对比度,能量裕度,光刻 中图分类号：TN305.7 文献标识码：A 文章编号：1003-353X(2005)07-0039-041 引言 化学增幅光刻胶在248nm和193nm光刻工艺中被广泛应用。化学放大的过程需要光致酸在空间上扩散开来，从而实现化学放大的催化反应。由于扩散的随机性，它会使空间像的对比度下降、掩模版误差因子的升高、及能量裕度

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